| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.09 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 115 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.75 W |
| 上升时间 | 180 ns | 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI2N30TU,MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2N80TU,MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2N90TU,MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2NA90TU,MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI2P25TU,MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI32N12V2TU,MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK