描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.075 Ohms |
---|---|---|---|
配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
封装 | Rail | 下降时间 | 115 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
上升时间 | 280 ns | 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI34P10TU,MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3N25TU,MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3N30TU,MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3N40TU,MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3N80TU,MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3N90TU,MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3P20TU,MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI3P50TU,MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK