| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 900V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.3 欧姆 @ 2.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.13W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA | 供应商设备封装 | I2PAK |
| 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQI4P40TU,MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06LTU,MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI50N06TU,MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N15TU,MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N20LTU,MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N20TU,MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N30TU,MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N40TU,MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK