| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.8 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | I2PAK |
| 封装 | Rail | 下降时间 | 35 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.13 W |
| 上升时间 | 55 ns | 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQI5N60CTU,MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5N80TU,MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI5P10TU,MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI6N15TU,MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI6N40CTU,MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK