描述 | MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 80V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9.3A | 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 210 毫欧 @ 4.65A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 280pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.75W |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | I2PAK | 包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQI9N08TU,MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N15TU,MOSFET N-CH 150V 9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N25CTU,MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N50CTU,MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQI9N50TU,MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】FQL40N50,MOSFET N-CH 500V 40A TO-264