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FQI9N08LTU

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAKFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C210 毫欧 @ 4.65A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V功率 - 最大3.75W
安装类型通孔封装/外壳TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商设备封装I2PAK包装管件

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