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FQNL1N50BBU_Q

描述MOSFET 500V Single电阻汲极/源极 RDS(导通)9 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92L
封装Bulk下降时间25 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.55 S最小工作温度- 55 C
功率耗散1.5 W上升时间25 ns
典型关闭延迟时间8 ns

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