| 描述 | MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET | 漏极连续电流 | 10.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.43 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 81 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 0.71 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 135 W |
| 上升时间 | 89 ns | 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP11N50CF,MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11P06,MOSFET P-CH 60V 11.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP12N60,MOSFET N-CH 600V 10.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP12N60C,MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP12P10,MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220