| 描述 | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level | 漏极连续电流 | 13.6 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.11 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 40 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 7 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 45 W |
| 上升时间 | 90 ns | 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP13N10,MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP13N10_F080,MOSFET 100V 12.8A 0.18OHM N-Channel
【Fairchild Semiconductor】FQP13N10L,MOSFET N-CH 100V 12.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP13N50,MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP13N50C,MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP14N15,MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220