您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > fqp19n20l
  • FQP19N20L

FQP19N20L

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 200V 21A TO-220FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 10.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
功率 - 最大140W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220
包装管件

fqp19n20l的相关型号: