描述 | MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 200V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 31A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 15.5A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 72nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V |
功率 - 最大 | 180W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP3N25,MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N30,MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N40,MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP3N50C,MOSFET N-CH/400V/ .5A/3.4OHM
【Fairchild Semiconductor】FQP3N60C,MOSFET N-CH 600V 3A TO-220