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FQP3P50_Q

描述MOSFET 500V P-Channel QFET漏极连续电流- 2.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)4.9 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间45 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)2.35 S
最小工作温度- 55 C功率耗散85 W
上升时间56 ns典型关闭延迟时间35 ns

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