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FQP50N06L_Q

描述MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level漏极连续电流52.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.021 Ohms配置Single
最大工作温度+ 175 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220AB封装Tube
下降时间145 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)40 S
最小工作温度- 55 C功率耗散121 W
上升时间380 ns典型关闭延迟时间80 ns

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