| 描述 | MOSFET 800V N-Channel QFET | 漏极连续电流 | 4.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.6 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 40 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 140 W | 上升时间 | 60 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP5N90,MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP5P10,MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP5P20,MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP630TSTU,MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP65N06,MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP65N06_Q,MOSFET TO-220 N-CH 60V 65A