描述 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220 | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 3.1A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 5V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 130W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商设备封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】FQP6N60C,MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N60C_F080,MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N70,MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N80,MOSFET N-CH 800V 5.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N80C,MOSFET N-CH 800V 5.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N90,MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N90C,MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP6N90C_Q,MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series