| 描述 | MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series | 漏极连续电流 | 7.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 1.2 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 64.5 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 8.7 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 147 W |
| 上升时间 | 60.5 ns | 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP8N80C,MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP8N90C,MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP90N08,MOSFET N-CH 80V 71A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP90N10V2,MOSFET N-CH 100V 90A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N08,MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N08L,MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220