描述 | MOSFET TO-220 | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.0085 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220AB |
下降时间 | 135 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 150 W | 上升时间 | 250 ns |
典型关闭延迟时间 | 18 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP9N08,MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N08L,MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25C,MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25C_Q,MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25CTSTU,MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220