| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.42 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 下降时间 | 45 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 90 W | 上升时间 | 105 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25C,MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25C_Q,MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25CTSTU,MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C,MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C_F080,MOSFET N-CH/500V/9A QFET C-SERIES
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C_Q,MOSFET 500V N-Ch QFET Advane C-Series