| 描述 | MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET | 漏极连续电流 | 8.8 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.43 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220 | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 65 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 7 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 74 W |
| 上升时间 | 85 ns | 典型关闭延迟时间 | 90 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP9N25CTSTU,MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C,MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C_F080,MOSFET N-CH/500V/9A QFET C-SERIES
【Fairchild Semiconductor】FQP9N50C_Q,MOSFET 500V N-Ch QFET Advane C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQP9N90C,MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP9P25,MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220