| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8.6A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 550pF @ 25V | 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装 | TO-220F | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | FQPF11P06-NDFQPF11P06FS |
【Fairchild Semiconductor】FQPF12N60,MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF12N60C,MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF12N60CT,MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF12N60T,MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF12P10,MOSFET P-CH 100V 8.2A TO-220F
【Fairchild Semiconductor】FQPF12P20,MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F