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  • FQPF19N20T

FQPF19N20T

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220FFET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.8A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫欧 @ 5.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 25V功率 - 最大50W
安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包
供应商设备封装TO-220F包装管件

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