| 描述 | MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.39, 11.2 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual Dual Drain | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 17 ns, 47 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 1.7 S, 0.6 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W | 上升时间 | 21 ns, 25 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns, 35 ns |
