| 描述 | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 850mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.35 欧姆 @ 425mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 310pF @ 25V | 功率 - 最大 | 2.2W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-4 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FQT4N20LTF-NDFQT4N20LTFTR |
【Fairchild Semiconductor】FQT4N20TF,MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT4N25TF,MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT5P10TF,MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT7N10LTF,MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FQT7N10TF,MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223