描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.29 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | IPAK |
封装 | Rail | 下降时间 | 60 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
上升时间 | 160 ns | 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06LTU_WS,MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N06TU,MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N10LTU,MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU13N10TU,MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU17P06TU,MOSFET P-CH 60V 12A IPAK