| 描述 | MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 漏极连续电流 | 1.9 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 4.7 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | IPAK | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 28 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 25 ns |
| 工厂包装数量 | 70 | 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 零件号别名 | FQU2N60CTLTU_NL |
【Fairchild Semiconductor】FQU2N60CTU,MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N80TU,MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N90TU,MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N90TU_AM002,MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU2N90TU_WS,MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
