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FQU4N20LTU

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)1.35 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体IPAK
封装Rail下降时间40 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间70 ns典型关闭延迟时间15 ns

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