| 描述 | MOSFET N-CH 500V 4A IPAK | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 625 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），48W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
【Fairchild Semiconductor】FQU5N50TU,MOSFET N-CH 500V 3.5A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU5N60CTU,MOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU5P20TU,MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU6N25TU,MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU6N40CTU,MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU6N40CTU_NBEA001,MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
【Fairchild Semiconductor】FQU6N50CTU,MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
