您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fqu9n08ltu

FQU9N08LTU

描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.21 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体IPAK
封装Rail下降时间30 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W
上升时间180 ns典型关闭延迟时间13 ns

fqu9n08ltu的相关型号: