描述 | MOSFET MODULE 1200V 50A | 技术 | 碳化硅(SiC) |
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配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | FET 功能 | - |
漏源电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Tj) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 45 毫欧 @ 25A,15V(标准) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5.55V @ 10mA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 62nC @ 15V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1840pF @ 800V |
功率 - 最大值 | 20mW(Tc) | 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 模块 |
供应商器件封装 | AG-EASY1BM-2 |