描述 | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO277-3 | 技术 | 标准 |
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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 8A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1 V @ 8 A | 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 3.37 μs | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 1000 V |
不同?Vr、F 时电容 | 118pF @ 0V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-277,3-PowerDFN | 供应商器件封装 | TO-277-3 |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
【Fairchild Semiconductor】FS8S0765RCBSYDT,IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
【Fairchild Semiconductor】FS8S0765RCBYDTU,IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
【Fairchild Semiconductor】FS8S0965RCBSYDT,IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
【Fairchild Semiconductor】FS8S0965RCBYDTU,IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV TO220
【DIGI INTERNATIONAL】FS-9007,开发板和工具包 - ARM Core 7U Biometric Kit IKENDI