| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 2A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 350mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 100 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大 | 500mW | 频率 - 转换 | 75MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】FSB660_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FSB660A,TRANSISTOR PNP 60V 2A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FSB660A_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor Low Saturation
【Fairchild Semiconductor】FSB6726,TRANSISTOR PNP 30V 1.5A SSOT-3
【Fairchild Semiconductor】FSB6726_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
