您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fsbcw30_q

FSBCW30_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min215 at 2 mA at 5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-3
封装Reel集电极连续电流0.5 A
最小工作温度- 55 C功率耗散0.5 W

fsbcw30_q的相关型号: