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FW812-TL-E

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 35V 10A DUAL 8SOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)35V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.6V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds960pF @ 20V
功率 - 最大2.5W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

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