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  • FXT657STOB

FXT657STOB

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:300 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:0.5 A
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) -直流集电极/Base Gain hfe Min40 at 10 mA at 5 V
配置Single最大工作频率30 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1000 mW

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