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  • FXT749STZ

FXT749STZ

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:2 A
产品属性
描述Transistors Bipolar (BJT) -直流集电极/Base Gain hfe Min70 at 50 mA at 2 V
配置Single最大工作频率160 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Box
最小工作温度- 55 C功率耗散1000 mW

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