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FZ1200R12KL4C

制造商：-
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

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参考价格

数量单价
1￥6,762.07
3￥6,124.10
5￥5,486.19
10￥5,103.45

产品属性

描述	IGBT 模块 1200V 1200A SINGLE	集电极—射极饱和电压	2.1 V
在25 C的连续集电极电流	1900 A	栅极—射极漏泄电流	400 nA
功率耗散	7.8 KW	最大工作温度	+ 125 C
封装 / 箱体	IHM130	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
最小工作温度	- 40 C	安装风格	SMD/SMT
工厂包装数量	8

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