您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fz1200r33kf2c

FZ1200R33KF2C

制造商：-
产品种类：IGBT 晶体管
配置：Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V
集电极—射极饱和电压：3.4 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

参考价格

数量单价
1￥14,403.89
3￥13,616.94
5￥12,059.48

产品属性

描述	IGBT 晶体管 3300V 1200A SINGLE	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流	2000 A	栅极—射极漏泄电流	400 nA
功率耗散	14.5 KW	最大工作温度	+ 125 C
封装 / 箱体	IS5a ( 62 mm )-9	最小工作温度	- 40 C
安装风格	Screw	工厂包装数量	8

fz1200r33kf2c的相关型号：