描述 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA | 最大工作温度 | + 150 C |
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封装 / 箱体 | IHVB190 | 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
最小工作温度 | - 50 C | 安装风格 | SMD/SMT |
用,铝碳化硅基板可将热循环能力提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用,如工业传动、风能发电和电梯等,英飞凌将提供使用铜基板的ihm/ihv b模块变体。 ihm/ihv b模块的电流能够做到3,600a以上,电压级别包括:1,200v、1,700v和3,300v。1,200v模块中使用的晶体管基于英飞凌igbt4技术。1,700v和3,300v模块中的晶体管使用基于英飞凌trenchstop/电场截止工艺的igbt3技术,与先前的模块相比,大幅度削减了正向导通电压。例如3,300v fz1500r33hl3模块的正向导通电压为2.5v,比相当的kf2c模块(4.3v)低40%左右。 这些新型模块符合rohs要求,并满足nff16-101和16-102的防火要求。它们都在德国warstein生产,igbt和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。 额定电流为1,500a的两款3,300v ihm/ihv b模块——fz1500r33hl39(带有igbt3家族的软性igbt)和fz1500r33he3(运用高速igbt3芯片),现已开始提供样片。批量生产预计于2006年第三季度开始。 ...
提高10倍。对于其他温度变化幅度较小的应用,如工业传动、风能发电和电梯等,英飞凌将提供使用铜基板的ihm/ihv b模块变体。 ihm/ihv b模块的电流能够做到3,600 a以上,电压级别包括:1,200 v、1,700 v和3,300 v。1,200 v模块中使用的晶体管基于全新英飞凌igbt4技术。1,700 v和3,300 v模块中的晶体管使用基于英飞凌trenchstop?/电场截止工艺的igbt3技术,与先前的模块相比,大幅度削减了正向导通电压。例如3,300 v fz1500r33hl3模块的正向导通电压为2.5v,比相当的kf2c模块(4.3v)低40%左右。 这些新型模块符合rohs要求,并满足nff16-101和16-102的防火要求。它们都在德国warstein生产,igbt和二极管芯片在奥地利菲拉赫制造。 供货情况 额定电流为1,500a的两款3,300v ihm/ihv b模块——fz1500r33hl3(带有igbt3家族的软性igbt) 和fz1500r33he3 (运用高速igbt3 芯片),现已开始提供样片。如欲了解关于ihm ...