| 描述 | TRANSISTOR NPN HI GAIN SOT223 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 5A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 10V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 350mV @ 25mA，5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 300 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大 | 2.5W | 频率 - 转换 | 150MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 | 包装 | 带卷 (TR) |
