您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > fzt3019_q

FZT3019_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Medium Power Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 0.1 mA at 10 V
配置Single最大工作频率100 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散8 mW

fzt3019_q的相关型号: