| 描述 | NP20V, 1.3A/-1.1A,RD<210M@4.5V,R | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Tc），1.1A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 210 毫欧 @ 650mA，4.5V，460 毫欧 @ 500mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA，800mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 1nC @ 4.5V，1.22nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 146pF @ 10V，177pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6L |
