描述 | N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V | FET 类型 | N 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 9.1 nC @ 4.5 V | Vgs(最大值) | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 573 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.4W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |