| 描述 | P30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX)<70 | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 8.5 nC @ 4.5 V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880 pF @ 15 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
