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G4S06506CT

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:1 : ¥31.00000剪切带(CT)30 : ¥26.34600带盒(TB)
  • 系列:-
  • 包装:剪切带(CT)带盒(TB)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述DIODE SIL CARB 650V 13.8A TO252技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V电流 - 平均整流 (Io)13.8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.8 V @ 6 A速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 650 V
不同?Vr、F 时电容181pF @ 0V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装TO-252
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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