描述 | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 | FET 类型 | - |
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技术 | SiC(碳化硅结晶体管) | 漏源电压(Vdss) | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 100A | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | Vgs(最大值) | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14400 pF @ 800 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 535W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 底座安装 | 供应商器件封装 | SOT-227 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |