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GA100XCP12-227

制造商：GeneSiC Semiconductor(GeneSiC Semiconductor,GeneSiC Semiconductor)
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2 V

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产品属性关于GeneSiC Semiconductor(GeneSiC Semiconductor,GeneSiC Semiconductor)

描述	IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak	在25 C的连续集电极电流	100 A
栅极—射极漏泄电流	0.5 mA	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	SOT-227	封装	Bulk
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V	最小工作温度	- 40 C
安装风格	SMD/SMT	工厂包装数量	10

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