| 描述 | DIODE SIL CARB 1.2KV 2A DO214AA | 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
|---|---|---|---|
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 2A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.8 V @ 1 A | 速度 | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 μA @ 1200 V |
| 不同?Vr、F 时电容 | 131pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB | 供应商器件封装 | DO-214AA |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
【GeneSiC Semiconductor】GB02SLT12-220,肖特基（二极管与整流器） 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB02SLT12-263,肖特基（二极管与整流器） 1200V 2A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB03SLT12-220,肖特基（二极管与整流器） 1200V 3A SiC Schottky Rectifier
【GeneSiC Semiconductor】GB03SLT12-247,肖特基（二极管与整流器） Silicon Carbide Schottky, 1200V
