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GB05MPS33-263

产品属性

描述	DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7	技术	SiC（Silicon Carbide）Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）	3300 V	电流 - 平均整流 (Io)	14A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	3 V @ 5 A	速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
反向恢复时间 (trr)	0 ns	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	10 μA @ 3000 V
不同?Vr、F 时电容	288pF @ 1V，1MHz	安装类型	表面贴装型
封装/外壳	TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA	供应商器件封装	TO-263-7
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C

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