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  • GB10SLT12-252

GB10SLT12-252

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V电流 - 平均整流 (Io)10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)2 V @ 10 A速度无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)0 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏250 μA @ 1200 V
不同?Vr、F 时电容520pF @ 1V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63供应商器件封装TO-252
工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

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