| 描述 | RECT BRIDGE GPP 25A 600V GBPC-W | 电流 - DC 正向(If) | 25A |
|---|---|---|---|
| 二极管类型 | 单相 | 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr) | - | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | GBPC-W | 包装 | 托盘 |
| 供应商设备封装 | GBPC-W | 其它名称 | GBPC2506W-NDGBPC2506WFS |
件，而普通pfc 电路的电感电流则通过3个半导体器件。 表1所示，无整流轿的pfc用一个mosfet的体二极管来代替普通pfc 电路的两个较慢恢复二极管。曲于这两个电路都作为升压变换器，因此它们的开关损耗是一样的。 在这两个电路中，尽管效率都有所改善，但导通损耗是不同的。与普通的pfc相比，无整流桥的pfc不仅减低了导通损耗，而且减少了元器件。 为了估计无整流桥pfc电路效率的提高，戍原理分析比较其损耗。此电路选开关是一个22a， 600v的结型mosfet，升压二极管选择的是gbpc2506w， 25a、600v，用这些器件导通损耗模型的方法画出这些器件的导通损耗曲线。由于电感电流是瞬时的，只能画出这两种器件在90v输人电压和不同输出功率下的导通损耗曲线。两种pfc 电路二极管抿耗比较如图3所示。 对于整个功率范围，无整流桥的pfc在满功率的水平能将总效率提高1 ％。考虑到 mosfet 的导通电阻很小，用同步整流方式的mosfet，可以进一步减小损耗。mosfet －b通损耗的*估是基于其较低的体二极管压降和导通电阻。两种 pfc 电路mos损耗比较如图4所示，这两种情况的功 ...
