描述 | DIODE SIL CARB 3.3KV 5A TO263-7 | 技术 | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
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电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 3300 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 5A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - | 速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 0 ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | - |
不同?Vr、F 时电容 | - | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA | 供应商器件封装 | TO-263-7 |
工作温度 - 结 | 175°C |